CY14V101Q3-SFXIT

CY14V101Q3 将1 Mbit非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）与每个存储单元中的非易失性元素以及串行SPI接口相结合。存储器组织为128K字，每字8位。SRAM提供无限的读写周期，而QuantumTrap单元提供高度可靠的非易失性数据存储。从SRAM到非易失性元素的数据传输（STORE操作）在断电时自动进行。上电时，数据从非易失性存储器恢复到SRAM（RECALL操作）。STORE和RECALL操作也可以通过用户通过SPI指令启动。

• 1 Mbit非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）
• 内部组织为128K × 8
• STORE到QuantumTrap非易失性元素可通过断电自动启动（AutoStore）或用户使用HSB引脚（硬件STORE）或SPI指令（软件STORE）启动
• RECALL到SRAM可通过上电启动（上电RECALL）或SPI指令（软件RECALL）启动
• 使用小电容在断电时自动STORE
• 高可靠性：无限读写和RECALL周期；QuantumTrap的STORE周期达100万次；数据保持时间20年
• 高速串行外设接口（SPI）：30 MHz时钟速率；支持SPI模式0（0,0）和模式3（1,1）
• 写保护：使用写保护（WP）引脚的硬件保护；使用写禁用指令的软件保护；软件块保护支持1/4、1/2或整个阵列
• 低功耗：核心VCC = 3.0 V 到 3.6 V；I/O VCCQ = 1.65 V 到 1.95 V；在30MHz操作下平均工作电流10mA
• 工业标准配置：工业温度范围；16引脚小外形集成电路（SOIC）封装；符合有害物质限制（RoHS）