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CY14V101Q3-SFXIT

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品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY14V101Q3-SFXIT
商品编号: C2953382
商品封装: SOIC-16
包装方式: 编带
商品毛重: 0.845571克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	nvSRAM(掉电保持)

	属性	参数值
	功能特性	硬件写保护；软件块写保护；写使能锁存；自动存储功能；存储完成标志

商品概述

赛普拉斯CY14V101Q3将1 Mbit非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）与每个存储单元中的非易失性元件相结合，并带有串行SPI接口。该存储器组织为128K个8位字。嵌入式非易失性元件采用了量子阱技术，创造了世界上最可靠的非易失性存储器。SRAM提供无限的读写周期，而量子阱单元则提供高度可靠的数据非易失性存储。在掉电时，数据会自动从SRAM传输到非易失性元件（存储操作）。在上电时，数据会从非易失性存储器恢复到SRAM（恢复操作）。存储和恢复操作也可以由用户通过SPI指令启动。

商品特性

1 Mbit非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）
内部组织为128K×8
掉电时自动启动向量子阱非易失性元件的存储操作（自动存储），也可由用户使用HSB引脚（硬件存储）或SPI指令（软件存储）启动
上电时启动从量子阱非易失性元件向SRAM的恢复操作（上电恢复），也可通过SPI指令（软件恢复）启动
掉电时使用小电容自动存储
高可靠性
无限的读写和恢复周期
向量子阱进行100万次存储周期
数据保留20年
高速串行外设接口（SPI）
30 MHz时钟速率
支持SPI模式0（0,0）和模式3（1,1）
写保护
使用写保护（WP）引脚进行硬件保护
使用写禁用指令进行软件保护
对1/4、1/2或整个阵列进行软件块保护
低功耗
核心VCC = 3.0 V至3.6 V；I/O VCCQ = 1.65 V至1.95 V
30 MHz操作时平均工作电流为10 mA
行业标准配置
工业温度
16引脚小外形集成电路（SOIC）封装
符合有害物质限制（RoHS）标准

数据手册PDF

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