CY14B116M-BZ45XIT

CY14B116K / CY14B116M 是一款将16M位非易失性SRAM（nvSRAM）和全功能实时时钟（RTC）集成在单芯片上的集成电路。nvSRAM是一种在每个存储单元中集成非易失性元件的高速SRAM。该存储器配置为2048K字节×8位或1024K字×16位。嵌入式非易失性元件采用QuantumTrap技术，实现了具有高可靠性的非易失性存储器。SRAM的读取/写入次数无限制。非易失性元件中保持的非易失性数据在写入SRAM时不会改变。从SRAM到非易失性元件的数据传输（STORE操作）在电源关闭时自动执行。电源开启时，数据从非易失性存储器恢复到SRAM（RECALL操作）。STORE和RECALL操作均可通过软件控制执行。RTC功能提供带闰年校正的精确时钟和可编程高精度振荡器。报警功能可编程为定期分钟、小时、日或月报警。还配备可编程看门狗定时器。

• 16M位非易失性SRAM（nvSRAM），25ns/45ns访问时间
• 内部配置为2048K×8（CY14B116K）或1024K×16（CY14B116M）
• 小容量电容器在电源关闭时执行自动STORE
• 通过软件、设备引脚或电源关闭时的AutoStore向QuantumTrap非易失性元件执行STORE
• 通过软件或电源开启执行SRAM的RECALL处理
• 高可靠性：无限制的读取、写入和RECALL周期；QuantumTrap 100万次STORE周期；20年数据保持期
• 睡眠模式操作
• 全功能实时时钟（RTC）：看门狗定时器；带可编程中断的时钟报警；电源异常指示；可编程频率方波输出（1Hz、512Hz、4096Hz、32.768kHz）；RTC用备份电池；0.45μA（典型）备份电流
• 低功耗：45ns访问时间时75mA激活电流；750μA待机模式电流；10μA睡眠模式电流
• 工作电压：Vcc = 2.7V ~ 3.6V
• 工业温度范围：-40°C ~ +85°C
• 封装：44引脚薄型小外形封装（TSOP II）；54引脚薄型小外形封装（TSOP II）；165球微细间距球栅阵列（FBGA）封装
• 符合RoHS标准