Name: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) S29AL016J70BFN020
Brand: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
SKU: C2950848
Price: 0.4576 CNY
Availability: OutOfStock

架构优势：
- 单电源操作，全电压范围：2.7至3.6伏，适用于电池供电应用的读写操作
- 采用110 nm工艺技术制造，与200 nm S29AL016D完全兼容
- 安全硅扇区区域，128字/256字节扇区，通过8字/16字节随机电子序列号进行永久、安全识别，可通过命令序列访问，可在工厂或由客户编程和锁定
- 灵活的扇区架构，字节模式下有一个16 Kbyte、两个8 Kbyte、一个32 Kbyte和三十一个64 Kbyte扇区；字模式下有一个8 Kword、两个4 Kword、一个16 Kword和三十一个32 Kword扇区
- 扇区组保护功能，硬件方法锁定扇区，防止该扇区内的任何编程或擦除操作，扇区可在系统内或通过编程设备锁定，临时扇区解锁功能允许在先前锁定的扇区中进行代码更改
- 解锁旁路编程命令，减少发出多个编程命令序列时的总体编程时间
- 提供顶部或底部引导块配置
- 与JEDEC标准兼容，引脚和软件与单电源闪存兼容，具有出色的意外写入保护
性能特性：
- 高性能，访问时间最快可达55 ns，适用于汽车（AEC - Q100 Grade 3，-40℃至+85℃；AEC - Q100 Grade 1，-40℃至+125℃）、工业温度范围（-40℃至+85℃）和扩展温度范围（-40℃至+125℃）
- 超低功耗（5 MHz典型值），自动睡眠模式电流0.2 μA，待机模式电流0.2 μA，读取电流7 mA，编程/擦除电流20 mA
- 循环耐久性：每个扇区典型值为1,000,000次循环
- 数据保留：典型值为20年
软件特性：
- 符合CFI（通用闪存接口），为系统提供设备特定信息，允许主机软件轻松为不同闪存设备重新配置
- 擦除暂停/擦除恢复，暂停擦除操作以从非擦除扇区读取数据或向其编程数据，然后恢复擦除操作
- 数据#轮询和切换位，提供检测编程或擦除操作完成的软件方法
硬件特性：
- 就绪/忙#引脚（RY/BY#），提供检测编程或擦除周期完成的硬件方法
- 硬件复位引脚（RESET#），硬件方法将设备复位到读取阵列数据状态
- WP#输入引脚，对于引导扇区设备，在VIL时，根据引导配置（顶部引导或底部引导）保护第一个或最后一个16 Kbyte扇区

	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	存储容量	16Mbit
	工作电压	2.7V~3.6V
	待机电流	0.2uA

	属性	参数值
	擦写寿命	1000000次
	块擦除时间(tBE)	-
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-40℃~+85℃

S29AL016J70BFN020

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