S6E2HG6E0AGV20000

32位ARM Cortex-M4F内核

• 最高160 MHz频率操作

片上存储器

• 主Flash存储器
  • 最高512 K字节
  • 内置Flash加速系统，带有16 K字节跟踪缓冲存储器
  • 在最高72 MHz的操作频率下，读取Flash存储器无需等待周期
  • 代码保护安全功能
• 工作Flash存储器
  • 32 K字节
  • 读取周期：
    • 6个等待周期：操作频率超过120 MHz，最高可达160 MHz
    • 4个等待周期：操作频率超过72 MHz，最高可达120 MHz
    • 2个等待周期：操作频率超过40 MHz，最高可达72 MHz
    • 0个等待周期：操作频率最高为40 MHz
  • 代码保护安全功能共享
• SRAM
  • SRAM0：最高32 K字节
  • SRAM1：最高16 K字节
  • SRAM2：最高16 K字节

外部总线接口

• 支持SRAM、NOR、NAND Flash和SDRAM设备
• 最多9个芯片选择CS0到CS8（CS8仅用于SDRAM）
• 8/16位数据宽度
• 最高25位地址位
• 支持地址/数据复用
• 支持外部RDY功能
• 支持扰乱功能
  • 可以设置从0x6000_0000到0xDFFF_FFFF的外部区域中4 M字节单位的有效/无效扰乱功能
  • 可以设置两种类型的扰乱密钥

CAN接口（最多2通道）

• 兼容CAN规范2.0A/B
• 最大传输速率：1 Mbps
• 内置32条消息缓冲区

多功能串行接口（最多8通道）

• 带有FIFO的64字节（FIFO步数根据通信模式或位长度的设置而变化）
• 每个通道可选择以下操作模式：
  • UART
  • CSIO
  • LIN
  • I2C

UART

• 全双工双缓冲
• 支持有无奇偶校验的选择
• 内置专用波特率发生器
• 可用外部时钟作为串行时钟
• 硬件流控制：自动通过CTS/RTS控制传输（仅ch.4）
• 各种错误检测功能可用（奇偶校验错误、帧错误和溢出错误）

CSIO

• 全双工双缓冲
• 内置专用波特率发生器
• 溢出错误检测功能可用
• 串行芯片选择功能（仅ch.6和ch.7）
• 支持高速SPI（仅ch.4和ch.6）
• 数据长度5到16位

LIN

• 支持LIN协议Rev.2.1
• 全双工双缓冲
• 支持主/从模式
• LIN中断字段生成（可以更改为13到16位长度）
• LIN中断分隔符生成（可以更改为1到4位长度）
• 各种错误检测功能可用（奇偶校验错误、帧错误和溢出错误）

I2C

• 标准模式（最高100 kbps）/高速模式（最高400 kbps）支持
• 快速模式Plus（Fm+）（最高1000 kbps，仅限ch.3=ch.A和ch.7=ch.B）支持

DMA控制器（8通道）

• DMA控制器具有独立于CPU的总线，因此CPU和DMA控制器可以同时处理
• 8个独立配置和操作的通道
• 可以通过软件或内置外设请求启动传输
• 传输地址区域：32位（4 G字节）
• 传输模式：块传输/突发传输/按需传输
• 传输数据类型：字节/半字/字
• 传输块计数：1到16
• 传输次数：1到65536

DSTC（描述符系统数据传输控制器）（256通道）

• DSTC可以在不经过CPU的情况下高速传输数据
• DSTC采用描述符系统，并根据已经构建在存储器中的描述符指定的内容，可以直接访问存储器/外设并执行数据传输操作
• 支持软件激活、硬件激活和链式激活功能

A/D转换器（最多24通道）[12位A/D转换器]

• 逐次逼近型
• 内置3个单元
• 转换时间：0.5 μs @ 5 V
• 支持优先转换（2级优先级）
• 扫描转换模式
• 内置FIFO用于转换数据存储（对于SCAN转换：16步，对于优先转换：4步）

D/A转换器（最多2通道）

• R-2R型
• 12位分辨率

基础定时器（最多8通道）

• 每个通道可以选择以下操作模式：
  • 16位PwM定时器
  • 16位PPG定时器
  • 16/32位重载定时器
  • 16/32位PwC定时器
  • 事件计数器模式（外部时钟模式）