S29GL128S10GHIV20

GL-S闪存

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描述: 采用65nm工艺技术制造，具有快速的页面访问时间，最快可达15ns，相应的随机访问时间最快可达90ns。具备写入缓冲区，允许在一次操作中最多编程256字/512字节，有效编程时间比标准编程算法更快，适用于需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: S29GL128S10GHIV20
商品编号: C2950870
商品封装: VFBGA-56
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.08克(g)

商品参数

	属性	参数值
	擦写寿命	100000次
	页写入时间(Tpp)	-
	块擦除时间(tBE)	-
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；ECC纠错；软件写保护；上电复位