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S29GL256P11TFIV20实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

S29GL256P11TFIV20

Gbit、512、256、128 Mbit、3V、采用 90nm MirrorBit 工艺技术的页闪存

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描述
的 S29GL01G/512/256/128P 是采用 90 纳米制程技术制造的 Mirrorbit 闪存产品。这些器件的页面访问时间仅 25 纳秒,随机访问时间最快可达 90 纳秒。它们配备写缓冲器,一次操作最多可对 32 个字/64 字节进行编程,与标准编程算法相比,有效编程时间更短
商品型号
S29GL256P11TFIV20
商品编号
C2944802
商品封装
TFSOP-56-18.4mm​
包装方式
托盘
商品毛重
1.990899克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型Parallel
存储容量256Mbit
时钟频率(fc)-
工作电压2.7V~3.6V
待机电流1uA
擦写寿命100000次
属性参数值
写周期时间(Tw)110ns
页写入时间(Tpp)-
块擦除时间(tBE)-
数据保留 - TDR(年)20年
工作温度-40℃~+85℃
功能特性硬件写保护;绝对写保护;软件写保护;上电复位

数据手册PDF