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S29GL512S11TFIV10

GL-S MirrorBit EclipseM闪存非易失性存储器系列

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
MirrorBit Eclipse闪存产品采用65 nm工艺技术制造。这些器件提供最快达15 ns的快速页面访问时间，相应的随机访问时间最快达90 ns。它们具有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程256字/512字节，比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些器件非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
品牌名称
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号
S29GL512S11TFIV10
商品编号
C2944816
商品封装
TFSOP-56​
包装方式
托盘
商品毛重
10.96克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型并口(Parallel)
存储容量512Mbit
工作电压2.7V~3.6V
待机电流100uA
属性参数值
擦写寿命100000次
写周期时间(Tw)110ns
数据保留 - TDR(年)20年
工作温度-40℃~+85℃

数据手册PDF

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