Name: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) S25FL064P0XBHI030
Brand: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
SKU: C2944846
Price: 0.2288 CNY
Availability: OutOfStock

单电源操作
全电压范围：2.7至3.6V读写操作
存储架构：统一的64kB扇区
顶部或底部参数块（两个64kB扇区（顶部或底部），每个扇区分为16个4kB子扇区）
256字节页大小
与S25FL064A设备向后兼容
编程：典型情况下，1.5ms内完成页编程（最多256字节）
编程操作逐页进行
通过9V W#/ACC引脚实现加速编程模式
四页编程
擦除：
整体擦除功能
64kB扇区的扇区擦除（SE）命令（D8h）
4kB扇区的子扇区擦除（P4E）命令（20h）
8kB扇区的子扇区擦除（P8E）命令（40h）
循环耐久性：每个扇区典型100,000次循环
数据保留：典型20年
设备ID：JEDEC标准两字节电子签名
RES命令单字节电子签名以实现向后兼容
一次性可编程（OTP）区域，用于永久、安全识别；可在工厂或由客户进行编程和锁定
符合CFI（通用闪存接口）：允许主机系统识别和适配多个闪存设备
采用0.09μm MirrorBit工艺技术制造
封装选项：
行业标准引脚排列
16引脚SO封装（300密耳）
8触点WSON封装（6×8mm）
24球BGA封装（6×8mm），5×5引脚配置
24球BGA封装（6×8mm），6×4引脚配置
速度：
正常读取（串行）：40MHz时钟速率
快速读取（串行）

	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	64Mbit
	时钟频率(fc)	104MHz
	工作电压	2.7V~3.6V
	待机电流	80uA

	属性	参数值
	擦写寿命	100000次
	页写入时间(Tpp)	1.5ms
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	硬件写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位

S25FL064P0XBHI030

商品参数

商品特性

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