S25FL064LABBHI030
64 Mb(8 MB)FL-L闪存,SPI多I/O接口,3.0V
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- 描述
- FL-L 系列器件是采用以下技术的闪存非易失性存储产品:• 浮栅技术 • 65 纳米制程光刻技术
- 商品型号
- S25FL064LABBHI030
- 商品编号
- C2944866
- 商品封装
- TBGA-24
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 64Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 108MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 20uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 |
商品概述
FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口(SPI)连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出(单I/O或SIO),以及可选的双比特(双I/O或DIO)和四比特宽Quad I/O(QIO)和Quad外设接口(QPI)命令。此外,还有用于QIO和QPI的双数据速率(DDR)读取命令,可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。
该架构具有页面编程缓冲区,允许在一操作中编程多达256字节,并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下,并使用Quad命令,指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存,同时大幅减少信号数量。
FL-L系列产品提供高密度,并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码(XIP)和存储可重新编程的数据。
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