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S25FL128SAGBHV300引脚图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

S25FL128SAGBHV300

S25FL128SAGBHV300

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商品型号
S25FL128SAGBHV300
商品编号
C2944795
商品封装
TBGA-24​
包装方式
托盘
商品毛重
0.335克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型SPI
存储容量128Mbit
属性参数值
工作电压2.7V~3.6V
工作温度-40℃~+105℃
功能特性硬件写保护;写使能锁存;ECC纠错;软件写保护;上电复位

商品特性

  • CMOS 3.0 V 核心,具有多功能 I/O
  • 支持多 I/O 的 SPI
  • SPI 时钟极性和相位模式 0 与 3
  • DDR 选项
  • 扩展寻址:24 位或 32 位地址选项
  • 串行命令集和封装与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容
  • 多 I/O 命令集和封装与 S25FL-P SPI 系列兼容
  • 读取命令:正常、快速、双路、四路、快速 DDR、双路 DDR、四路 DDR
  • AutoBoot:上电或复位时自动在预选地址执行正常或四路读取命令
  • 用于配置信息的通用闪存接口(CFI)数据
  • 编程速度 1.5 MBps
  • 256 字节或 512 字节页编程缓冲区选项
  • 用于慢时钟系统的四路输入页编程(QPP)
  • 自动 ECC 内部硬件纠错码生成,支持单比特错误纠正
  • 擦除速度 0.5 至 0.65 MBps
  • 混合扇区大小选项:地址空间顶部或底部包含 32 个 4 KB 扇区,其余扇区均为 64 KB,以兼容前代 S25FL 器件
  • 统一扇区选项:始终擦除 256 KB 块,以软件兼容更高密度和未来器件
  • 循环耐久性:至少 100,000 次编程-擦除周期
  • 数据保持:至少 20 年
  • 安全特性:1024 字节 OTP 阵列
  • 块保护:状态寄存器位控制连续扇区范围的编程或擦除保护
  • 硬件和软件控制选项
  • 高级扇区保护(ASP)
  • 由引导代码或密码控制的单个扇区保护
  • 采用 Eclipse 架构的 65 nm MIRRORBIT 技术
  • 核心电源电压:2.7 V 至 3.6 V
  • I/O 电源电压:1.65 V 至 3.6 V
  • SO16 和 FBGA 封装
  • 温度范围/等级:工业级(-40°C 至 +85°C)
  • 工业增强级(-40°C 至 +105°C)
  • 汽车 AEC-Q100 3 级(-40°C 至 +85°C)
  • 汽车 AEC-Q100 2 级(-40°C 至 +105°C)
  • 汽车 AEC-Q100 1 级(-40°C 至 +125°C)
  • 封装(全部无铅):16 引脚 SOIC(300 mil)
  • WSON 6×8 mm
  • BGA-24 6×8 mm
  • 5×5 球(FAB024)和 4×6 球(FAC024)封装选项
  • 已知良品(KGD)和已知测试晶圆

数据手册PDF