S25FL128SAGBHV300
S25FL128SAGBHV300
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- 商品型号
- S25FL128SAGBHV300
- 商品编号
- C2944795
- 商品封装
- TBGA-24
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.335克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 128Mbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护;写使能锁存;ECC纠错;软件写保护;上电复位 |
商品特性
- CMOS 3.0 V 核心,具有多功能 I/O
- 支持多 I/O 的 SPI
- SPI 时钟极性和相位模式 0 与 3
- DDR 选项
- 扩展寻址:24 位或 32 位地址选项
- 串行命令集和封装与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容
- 多 I/O 命令集和封装与 S25FL-P SPI 系列兼容
- 读取命令:正常、快速、双路、四路、快速 DDR、双路 DDR、四路 DDR
- AutoBoot:上电或复位时自动在预选地址执行正常或四路读取命令
- 用于配置信息的通用闪存接口(CFI)数据
- 编程速度 1.5 MBps
- 256 字节或 512 字节页编程缓冲区选项
- 用于慢时钟系统的四路输入页编程(QPP)
- 自动 ECC 内部硬件纠错码生成,支持单比特错误纠正
- 擦除速度 0.5 至 0.65 MBps
- 混合扇区大小选项:地址空间顶部或底部包含 32 个 4 KB 扇区,其余扇区均为 64 KB,以兼容前代 S25FL 器件
- 统一扇区选项:始终擦除 256 KB 块,以软件兼容更高密度和未来器件
- 循环耐久性:至少 100,000 次编程-擦除周期
- 数据保持:至少 20 年
- 安全特性:1024 字节 OTP 阵列
- 块保护:状态寄存器位控制连续扇区范围的编程或擦除保护
- 硬件和软件控制选项
- 高级扇区保护(ASP)
- 由引导代码或密码控制的单个扇区保护
- 采用 Eclipse 架构的 65 nm MIRRORBIT 技术
- 核心电源电压:2.7 V 至 3.6 V
- I/O 电源电压:1.65 V 至 3.6 V
- SO16 和 FBGA 封装
- 温度范围/等级:工业级(-40°C 至 +85°C)
- 工业增强级(-40°C 至 +105°C)
- 汽车 AEC-Q100 3 级(-40°C 至 +85°C)
- 汽车 AEC-Q100 2 级(-40°C 至 +105°C)
- 汽车 AEC-Q100 1 级(-40°C 至 +125°C)
- 封装(全部无铅):16 引脚 SOIC(300 mil)
- WSON 6×8 mm
- BGA-24 6×8 mm
- 5×5 球(FAB024)和 4×6 球(FAC024)封装选项
- 已知良品(KGD)和已知测试晶圆
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