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CJAE10P06实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CJAE10P06

1个P沟道 耐压:60V 电流:10A

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描述
CJAE10P06采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷条件下提供出色的导通电阻(RDS(ON))。它可用于多种应用场景。
商品型号
CJAE10P06
商品编号
C2943210
商品封装
DFNWB-8L-EP(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.12克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))35mΩ@10V
耗散功率(Pd)3W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)52nC@10V
输入电容(Ciss)4.5nF
反向传输电容(Crss)515pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)705pF

数据手册PDF

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