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FH3415A
P沟道增强模式功率MOSFET 1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于负载开关或PWM应用，具备ESD保护功能。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH3415A
- 商品编号
- C2940032
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@4.5V；56mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 205pF |
商品概述
15N10采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
~~- 高功率和电流处理能力-提供无铅产品-表面贴装封装
应用领域
-PWM应用-负载开关