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FH8204
N沟道增强型MOSFET,电流:9.5A,耐压:20V
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- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH8204
- 商品编号
- C2940038
- 商品封装
- DFN-6-EP(2x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.647nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 148pF@10V | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20V
- 栅源电压（VGS）= 2.5V时，导通电阻（RDS(ON)） = 300mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS）= 4.5V时，导通电阻（RDS(ON)） = 250mΩ（典型值）
- 静电放电（ESD）保护高达2KV
应用领域
- 负载/电源开关-接口开关-超小型便携式电子设备的电池管理-逻辑电平转换