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FH8204
N沟道增强型MOSFET,电流:9.5A,耐压:20V
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- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH8204
- 商品编号
- C2940038
- 商品封装
- DFN-6-EP(2x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.647nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 148pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 9mΩ
- 20V/9.5A
- 快速开关
- 内置G - S ESD保护二极管
- 有环保型器件可供选择
- DFN2x3封装设计
应用领域
- MB/VGA/Vcore
- 便携式设备
- 电池供电系统
- 负载开关
- LCD显示器逆变器