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FH3400C
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:30V 电流:4.7A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和高密度单元设计，实现超低导通电阻。适用于负载开关或PWM应用。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH3400C
- 商品编号
- C2940037
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 490pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 66pF |
商品概述
-沟槽功率低压MOSFET技术-高密度单元设计,实现低漏源导通电阻(RDS(ON))-高速开关
商品特性
- VDS = 30 V, \quad ID = 4.7 A
- R DS(ON) \left(\text Typ.\right) = 27 m Ω \quad @ V GS = 10 V
- R DS(ON) (Typ.) = 30m Ω \quad @ V GS = 4.5V
- R DS(ON) (Typ.) = 39m Ω \quad @ V GS = 2.5V
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
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