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FH1404G6
N沟道增强型功率MOSFET 1个N沟道 耐压:40V 电流:40A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH1404G6
- 商品编号
- C2940036
- 商品封装
- PDFN-8(3x3.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.094克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 720pF@22.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF@22.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
WPM2080是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM2080为无铅产品。
商品特性
- 沟槽技术
- 超高密度单元设计
- 出色的导通电阻
- 极低的阈值电压
- 小封装SOT-23-3L
应用领域
- DC/DC转换器
- 电源转换电路
- 便携式设备的负载/电源开关