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BSS816NWH6327
1个N沟道 耐压:20V 电流:1.4A
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- 描述
- 特性：N沟道增强模式。 超逻辑电平（额定1.8V）。 雪崩额定值。 根据AEC Q101认证。 100%无铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSS816NWH6327
- 商品编号
- C2939944
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV@3.7uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC@2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 67pF |
商品概述
JMT P沟道增强型功率MOSFET
商品特性
- 20V，-85A
- 当VGS = -4.5 V时，RDS(ON) < 2.7 mΩ
- 当VGS = -2.5 V时，RDS(ON) < 3.8 mΩ
- 当VGS = -1.8 V时，RDS(ON) < 5.7 mΩ
- 先进的沟槽技术
- 具备出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 产品无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理
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