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AP4435
1个P沟道 耐压:30V 电流:10.5A 停产
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- 描述
- SOP-8塑封封装P沟道MOS场效应管。VDS(V)=-30V，ΔD=-10.5A (VGS=-20V)，RDS(ON)<14mΩ (VGS=-20V)，RDS(ON)<18mΩ (VGS=-10V)，RDS(ON)<36mΩ (VGS=-5.0V)。
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP4435
- 商品编号
- C353082
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 240pF |
商品概述
SOP-8 塑封封装的 P 沟道增强型场效应晶体管。
商品特性
- 漏源电压（V） = -30V
- 漏极电流 = -10.5A（栅源电压 = -20V）
- 导通电阻 < 14mΩ（栅源电压 = -20V）
- 导通电阻 < 18mΩ（栅源电压 = -10V）
- 导通电阻 < 36mΩ（栅源电压 = -5.0V）
应用领域
- 用于笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理。