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JMTP170C04D
N沟道+P沟道 耐压:40V 电流:10A
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- 描述
- 特性：N-Channel：40V，10A。 RDS(ON) < 20mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 27mΩ @ VGS = -4.5V。 P-Channel：-40V，-10A。 RDS(ON) < 44mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 62mΩ @ VGS = -4.5V。应用：电池保护。 负载开关
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTP170C04D
- 商品编号
- C2938484
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.182克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.034nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 79.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 107pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -40 V，漏极电流（ID） = -12 A
- 当栅源电压（VGS） = -10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 14.3 mΩ
- 当栅源电压（VGS） = -4.5 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 22 mΩ
- 先进沟槽技术
- 出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷
- 产品无铅
应用领域
- 脉宽调制（PWM）应用
- 负载开关
- 电源管理