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JMTP170N06D
耐压:60V 电流:9.2A
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- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTP170N06D
- 商品编号
- C2938485
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.182克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.9nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 124pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
JMT N沟道增强型功率MOSFET
商品特性
- 60V、120A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 5.9 mΩ
- 先进的沟槽技术
- 具备出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 产品无铅
应用领域
- 负载开关-PWM应用-电源管理