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JMSL0302AU-13
1个N沟道 耐压:30V 电流:145A
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- 描述
- 特性：超低导通电阻。 高电流能力。 ESD增强至人体模型（HBM）额定值高达1.5kV。 100%进行UIS测试和Rg测试。应用：计算、消费电子、工业4.0、通信领域的电源管理。 直流/直流和交流/直流子系统中的电流切换
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMSL0302AU-13
- 商品编号
- C2938488
- 商品封装
- PDFN-8(3x3.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.159克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 145A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.975nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 117pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.65nF |
商品概述
JMG N沟道增强型功率MOSFET
商品特性
- 超低导通电阻RDS(ON)
- 高电流承载能力
- 静电放电(ESD)防护能力增强,人体模型(HBM)等级达1.5 kV
- 100%进行非钳位感性负载开关(UIS)测试和栅极电阻(Rg)测试
应用领域
- 计算机、消费电子、工业4.0、通信领域的电源管理
- 直流/直流和交流/直流子系统中的电流切换
- 电机驱动、快速/无线充电