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JMTG030P02A
1个P沟道 耐压:20V 电流:85A
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- 描述
- 特性：20V，-85A。RDS(ON) < 2.7mΩ @ VGS = -4.5V。RDS(ON) < 3.8mΩ @ VGS = -2.5V。RDS(ON) < 5.7mΩ @ VGS = -1.8V。先进的沟槽技术。提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：负载开关。PWM应用
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTG030P02A
- 商品编号
- C2938492
- 商品封装
- PDFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.255克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.068nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.6nF |
商品概述
JMT P沟道增强型功率MOSFET
商品特性
- VDS = -30 V，ID = -45 A
- 在VGS = -10 V时，RDS(ON) < 14 mΩ
- 在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) < 22.5 mΩ
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 获得无铅产品认证
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
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