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NCE6003X实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE6003X

1个N沟道 耐压:60V 电流:3A

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描述
NCE6003X采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品型号
NCE6003X
商品编号
C2934580
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.052克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))110mΩ@4.5V
属性参数值
耗散功率(Pd)1.7W
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
栅极电荷量(Qg)10.2nC@10V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品特性

  • 通过AEC-Q101认证
  • 175°C MOSFET
  • 4.0 V驱动
  • 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 28 mΩ(典型值)(@VGS = 10 V);RDS(ON) = 36 mΩ(典型值)(@VGS = 4.5 V);RDS(ON) = 43 mΩ(典型值)(@VGS = 4 V)
  • 人体放电模式(HBM):2 kV等级

应用领域

  • 电源管理开关
  • 直流-直流转换器

数据手册PDF