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NCE60P25实物图
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NCE60P25

NCE60P25

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商品型号
NCE60P25
商品编号
C2934582
商品封装
TO-220​
包装方式
编带
商品毛重
2.712克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)25A
导通电阻(RDS(on))39mΩ@10V
耗散功率(Pd)90W
阈值电压(Vgs(th))2.9V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)46nC
输入电容(Ciss)3.43nF
反向传输电容(Crss)272pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)391pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

NCE60P25采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。

商品特性

  • VDS = -60V, ID = -25A
  • 在 VGS = -10V 时,RDS(ON) < 45 m Ω
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
  • 采用散热性能良好的封装

应用领域

  • 全桥转换器的高端开关
  • LCD显示器的DC/DC转换器

数据手册PDF