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NCE6990K
1个N沟道 耐压:69V 电流:90A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻RDS(ON)，且栅极电荷低。可用于多种应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE6990K
- 商品编号
- C2934586
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.529克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 69V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 83.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.8313nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 244.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。这款超结MOSFET符合行业对PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC SMPS要求。
商品特性
- 漏源电压VDS = 69V,漏极电流ID = 90A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 7.0 mΩ(典型值:5.7 mΩ)
- 高密度单元设计,实现极低的导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的封装
- 采用特殊工艺技术,具备高静电放电ESD能力
应用领域
-功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源
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