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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE3009S

1个N沟道 耐压:30V 电流:9A

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描述
NCE3009S采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品型号
NCE3009S
商品编号
C2934578
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.204克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)60W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.2V@250uA
栅极电荷量(Qg)17.5nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.21nF@15V
反向传输电容(Crss)105pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

BLM9435采用先进的沟槽技术,可提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = -30 V,漏极电流(ID) = -5.1 A
  • 在栅源电压(VGS) = -4.5 V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) < 105 mΩ
  • 在栅源电压(VGS) = -10 V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) < 55 mΩ
  • 具备高功率和大电流处理能力
  • 产品无铅
  • 表面贴装封装

应用领域

  • PWM应用
  • 负载开关
  • 电源管理

数据手册PDF