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BSS83PH6327
P沟道 耐压:60V 电流:0.33A
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- 描述
- 特性：P沟道增强模式。 雪崩额定。 逻辑电平。 dV/dt额定。 无铅引脚电镀，符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSS83PH6327
- 商品编号
- C2932927
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 330mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@80uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 78pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 24pF |
商品概述
P沟道MOSFET
商品特性
- 漏源电压（VDS）：-20 V
- 漏极电流（ID）：-3.1 A
- 漏源导通电阻RDS(ON)（VGS = -4.5 V时）< 90 mΩ
- 漏源导通电阻RDS(ON)（VGS = -3.3 V时）< 100 mΩ
- 沟槽功率MOSFET技术
- 在VGS = -4.5 V时具有低漏源导通电阻
- 高电流处理能力
- 无卤、符合RoHS标准
应用领域
- 便携式设备的DC/DC转换器
- 高端负载开关
- 高速线路驱动器
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