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BSC014N04LSI实物图
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BSC014N04LSI

N沟道 耐压:40V 电流:195A

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描述
特性:针对同步整流进行优化。 集成单片肖特基类二极管。 极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 N沟道,逻辑电平。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚电镀,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 由于扩大了源极互连,具有更高的焊点可靠性
商品型号
BSC014N04LSI
商品编号
C2934854
商品封装
TDSON-8FL​
包装方式
编带
商品毛重
0.188克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)195A
导通电阻(RDS(on))1.45mΩ@10V
耗散功率(Pd)96W
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)77nC@10V
输入电容(Ciss)5.6nF
反向传输电容(Crss)180pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.68nF

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