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BSC014N04LSI
N沟道 耐压:40V 电流:195A
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- 描述
- 特性：针对同步整流进行优化。 集成单片肖特基类二极管。 极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 N沟道，逻辑电平。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚电镀，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 由于扩大了源极互连，具有更高的焊点可靠性
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC014N04LSI
- 商品编号
- C2934854
- 商品封装
- TDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 195A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 77nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.68nF |
商品概述
BLM3407A采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 针对同步整流进行优化
- 集成单片类肖特基二极管
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 100%雪崩测试
- N沟道、逻辑电平
- 符合JEDEC标准,适用于目标应用
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 由于源极互连增大,焊点可靠性更高
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理