PN6775HNEC-T1

PN6775H集成超低待机功耗原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6775H为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。

PN6775H是一款高性能的原边反馈控制器。PN6775H工作在原边检测和调整模式，可省略系统的光耦和TL431。PN6775H拥有恒压恒流控制环路，可以实现高精度的恒压、恒流输出，以满足大部分充电器和适配器需求。PN6775H内置高压启动电路和极低的芯片功耗使得系统能够满足较高的待机功耗标准。

• 内置800V高雪崩能力智能功率MOSFET
• 内置高压启动电路，小于50mW空载损耗（230VAC）
• 采用多模式技术提高效率，满足6级能效标准
• 全电压输入范围±5%的CC/CV精度
• 原边反馈可省光耦和TL431
• 恒压、恒流、输出线补偿外部可调
• 无需额外补偿电容
• 无音频噪声
• 智能保护功能：
  • 过温保护 (OTP)
  • VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
  • 逐周期过流保护 (OCP)
  • CS开/短路保护 (CS O/SP)
  • 开环保护 (OLP)

• 开关电源适配器
• 电池充电器
• 家电电源