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SIR681DP-T1-RE3
P沟道 耐压:80V 电流:71.9A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV P沟道功率MOSFET。 极低的RDS(on)，可最大限度地降低电压降并减少传导损耗。 无需电荷泵。 100%进行Rg和UIS测试。应用：适配器和充电器开关。 电池和电路保护
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR681DP-T1-RE3
- 商品编号
- C2930964
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 71.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.48nF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7Ω (典型值)
- 高正向传输导纳：|Yfs| = 4.5 S (典型值)
- 低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 650V)
- 增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)