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SSM3J56MFV,L3F
1个P沟道 耐压:20V 电流:800mA
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- 描述
- 特性：1.2V驱动低导通电阻: RDS(ON) = 390mΩ（最大值）(VGS =-4.5V)。 RDS(ON) = 480mΩ（最大值）(VGS =-2.5V)。 RDS(ON) = 660mΩ（最大值）(VGS =-1.8V)。 RDS(ON) = 900mΩ（最大值）(VGS =-1.5V)。 RDS(ON) = 4000mΩ（最大值）(VGS =-1.2V)。 重量：1.5mg（典型值）
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3J56MFV,L3F
- 商品编号
- C2929215
- 商品封装
- SOT-723-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0048克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 390mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 100pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 16pF |
商品特性
- 在4.5 V栅源电压（VGS）下具有极低的漏源导通电阻（RDS(on)）
- 低栅极电荷
- 雪崩电压和电流特性完全表征
应用领域
- 用于网络和计算系统应用的高频负载点同步降压转换器
- 无铅