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TK39N60W,S1VF(S
N沟道 耐压:600V 电流:38.8A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.055Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.7至3.7V，VDS = 10V，ID = 1.9mA。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK39N60W,S1VF(S
- 商品编号
- C2929218
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.963克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 270W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
采用先进沟槽技术设计的N沟道功率MOSFET。该器件具备出色的栅极电荷和导通电阻RDS(on)，可大幅降低开关和传导损耗。因此，它非常适用于AC/DC电源转换、负载开关和工业电源应用。
商品特性
- 低漏源导通电阻:采用超级结结构DTMOS时,RDS(ON) = 0.055Ω(典型值)
- 栅极开关易于控制
- 增强型:Vth = 2.7至3.7 V(VDS = 10 V,ID = 1.9 mA)
应用领域
-开关稳压器