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TK8A65D(STA4,X,M)
N沟道 耐压:650V 电流:8A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7Ω（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 4.5S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 650V)。 增强模式：Vth = 2.0 ± 0.4V (VDS = 10V, ID = 1mA)
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK8A65D(STA4,X,M)
- 商品编号
- C2929219
- 商品封装
- ITO-220S-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 135pF |
商品概述
-沟槽功率MOSFET技术-低 RDS(on)-符合RoHS标准且无卤
应用领域
- 计算机、服务器和负载点（POL）中的DC/DC转换器
- 电池保护开关
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