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TPD1E10B06DPYR-N实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPD1E10B06DPYR-N

双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流:8A@8/20us

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:100瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 微型DFN1006封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用:手机及配件。 基于微处理器的设备
商品型号
TPD1E10B06DPYR-N
商品编号
C2929226
商品封装
DFN1006-2​
包装方式
编带
商品毛重
0.01克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
极性双向
反向截止电压(Vrwm)5V
钳位电压12V
峰值脉冲电流(Ipp)8A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)100W@8/20us
属性参数值
击穿电压6.5V
反向电流(Ir)100nA
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容18pF

商品特性

  • 100瓦峰值脉冲功率(tp = 8/20微秒)
  • 微型DFN1006封装
  • 双向配置
  • 固态硅雪崩技术
  • 低钳位电压
  • 低泄漏电流
  • IEC 61000 - 4 - 2:±30千伏接触放电、±30千伏空气放电
  • IEC 61000 - 4 - 4(电快速瞬变脉冲群)40安(5/50纳秒)
  • IEC 61000 - 4 - 5(浪涌)8安(8/20微秒)

应用领域

  • 手机及配件
  • 基于微处理器的设备
  • 个人数字助理(PDA)
  • 笔记本电脑、台式电脑和服务器
  • 便携式仪器

数据手册PDF