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LD59100PUR
具有反向电流保护的1A超低压降稳压器
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- 描述
- LD59100是一款1 A的低压差线性稳压器（LDO），专为在各种环境中使用而设计。其N沟道金属氧化物半导体（NMOS）拓扑结构可降低通流元件的导通电阻（Rds(on)），即使在输入电源电压非常低的情况下，也能保持极低的压差。该器件在宽频带内具有非常高的电源抑制比（PSRR）特性，使其适合作为对噪声敏感应用的二次稳压器
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- LD59100PUR
- 商品编号
- C2926455
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.115986克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 线性稳压器(LDO) | |
| 输出类型 | 可调 | |
| 工作电压 | 5.5V | |
| 输出电压 | 1.2V~5.5V | |
| 输出电流 | 1A | |
| 电源纹波抑制比(PSRR) | 70dB@(100kHz) | |
| 压差 | 500mV@(1A) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 静态电流(Iq) | 130uA | |
| 噪声 | - | |
| 特性 | 热关断；过流保护；反接保护；带使能 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Tj) | |
| 输出极性 | 正极 | |
| 输出通道数 | 1 |
商品概述
LD59100是一款1 A的LDO稳压器，设计用于各种环境。其NMOS拓扑结构可降低传输元件的Rds(on)，即使在输入电源电压非常低的情况下，也能保持极低的压差。 该器件在宽频带内具有非常高的电源抑制比（PSRR）特性，使其适用于对噪声敏感应用的二次稳压。 使能功能可用于在关断模式下进一步降低总电流消耗。 LD59100内置保护功能，如限流、热关断和输出反向电流保护。
商品特性
- 输入电压范围：2.2 V至5.5 V
- 超低压差：1 A时典型值为200 mV
- NMOS拓扑结构
- 非常高的PSRR：100 Hz时为78 dB，100 kHz时为70 dB
- 对负载变化响应非常快
- 使用1 μF电容即可稳定工作
- 热关断
- 限流
- 可从1.2 V进行调节
- 高输出电压精度：典型值为1%（最大值为3%）
应用领域
- 通用负载点后置稳压
- 便携式设备
- 工业应用
- 电信基础设施