温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AON7406
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 888pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 145pF |
商品概述
BL9N50是一款采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
商品特性
- 快速开关
- 低Crss
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 高频开关模式电源
- 电子镇流器