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DN0150ALP4-7B
NPN 电流:100mA 电压:50V
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- 描述
- 特性：BVCEO > 50V（IC = 100mA）。 高集电极电流。 PD = 1000mW 功率耗散。 0.60mm²封装占位面积，比SOT23小13倍。 0.4mm高度封装，减少板外轮廓。 互补PNP类型。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高。 外壳材料：模塑塑料，“绿色”模塑料。 UL可燃性分类等级94V-0。 湿度敏感度：符合J-STD-020的1级。 端子表面处理：NiPdAu，符合MIL-STD-202方法208可焊接。 重量约0.0008克
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DN0150ALP4-7B
- 商品编号
- C2925738
- 商品封装
- DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 直流电流增益(hFE) | 120@2mA,6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 60MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV@100mA,10mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |