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AON6298
1个N沟道 耐压:100V 电流:46A
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- 描述
- 使用沟槽MOSFET技术，该技术经过独特优化，可提供高效的高频开关性能。由于RDS(ON)、Ciss和Coss极低，传导和开关功率损耗均降至最低。适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AON6298
- 商品编号
- C2925782
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.307nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
ATM8205DNPD采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 5A
- 典型RDS(ON) = 20mΩ @ VGS = 4.5V
- 典型RDS(ON) = 25mΩ @ VGS = 2.5V
- 高功率和电流处理能力
- 提供无铅产品
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池保护-负载开关-电源管理