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SM4512NHKPC-TRG
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 特性：30V/80A，RDS(ON) = 1.9mΩ（最大值）@VGS = 10V，RDS(ON) = 3mΩ（最大值）@VGS = 4.5V。 100% UIS + R测试。 可靠耐用。 低Qg和Qgd，实现高速开关。 低RDS(ON)，以最小化传导损耗。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：台式计算机或DC/DC转换器中的电源管理
- 品牌名称
- Sinopower(大中)
- 商品型号
- SM4512NHKPC-TRG
- 商品编号
- C347516
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 57.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.666nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.674nF |
商品特性
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) = 1.9 mΩ（最大值）
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 3 mΩ（最大值）
- 30V/80A
- 100%进行UIS + Rg测试
- 可靠且耐用
- 低Qg和Qgd，适用于高速开关
- 低RDS(ON)，可将传导损耗降至最低
- 提供无铅环保器件（符合RoHS标准）
应用领域
- 台式计算机或DC/DC转换器的电源管理。