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BSS606N-P
N沟道 耐压:60V 电流:3.5A
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- 描述
- 特性：VDS = 60V, ID = 3.5A。 RDS(ON) < 100mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 120mΩ @ VGS = 4.5V。 高功率和电流处理能力。 无铅产品。 表面贴装封装。应用：负载/电源开关。 接口开关
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- BSS606N-P
- 商品编号
- C2923353
- 商品封装
- SOT-89-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.321克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 247pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 34pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 0.6mm 厚度——适用于薄型应用
- 低栅极阈值电压
- 低导通电阻
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 电池管理应用
- 电源管理功能
- DC-DC 转换器