温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TPNTJD4401NT1G
20V双N沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPNTJD4401NT1G
- 商品编号
- C2923389
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 330mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品特性
- 650V、12A
- 在VGS = 10V、ID = 6A条件下，RDS(ON) = 0.67Ω（典型值）
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
应用领域
- 开关模式电源(SMPS)-不间断电源(UPS)-功率因数校正(PFC)