温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NCE30P30G
1个P沟道 耐压:30V 电流:30A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- NCE30P30G采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE30P30G
- 商品编号
- C2922132
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 81.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.222nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 448.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
FH3040G6采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下，提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)），可用于多种应用。
商品特性
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻（Rdson）
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 出色的封装，散热性能好
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电（ESD）能力
应用领域
-电机驱动器-功率开关应用-计算机领域的DC/DC转换器-液晶电视电器