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12N65F

1个N沟道 耐压:650V 电流:12A

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描述
1个N沟道 耐压:650V 电流:12A适用于电源开关和信号控制
商品型号
12N65F
商品编号
C2922158
商品封装
ITO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.25克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))804mΩ@10V
耗散功率(Pd)-
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)58nC@10V
输入电容(Ciss)2.107nF
反向传输电容(Crss)16pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)195pF

商品概述

SL2308是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度的先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用,以及需要在超小外形的表面贴装封装中实现低在线功率损耗的场景。

商品特性

  • 650V、12A
  • 在VGS = 10V、ID = 6A条件下,RDS(ON) = 0.67Ω(典型值)
  • 快速开关
  • 改善的dv/dt能力
  • 100%雪崩测试

应用领域

-开关模式电源(SMPS)-不间断电源(UPS)-功率因数校正(PFC)

数据手册PDF