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10N65F

1个N沟道 耐压:650V 电流:10A

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描述
1个N沟道 耐压:650V 电流:10A适用于电源开关和信号控制
商品型号
10N65F
商品编号
C2922157
商品封装
ITO-220AB-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.27克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))1.2Ω@10V
耗散功率(Pd)50W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)57nC@10V
输入电容(Ciss)2.04nF
反向传输电容(Crss)24pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)215pF

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术,它依据超结(SJ)原理设计。650V CoolMOS CFD2系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优势,同时提供极快速且稳健的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与极高的稳健性相结合,使谐振开关应用尤其更加可靠、高效、轻便且散热良好。

商品特性

  • 超快体二极管
  • 极高的换向耐用性
  • 由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss,损耗极低
  • 易于使用/驱动
  • 无铅镀层,无卤模塑料
  • 符合JEDEC(J - STD20和JESD22)工业级应用标准

应用领域

  • 650V CoolMOS CFD2特别适用于谐振开关PWM级,例如用于PC电源、液晶电视、照明、服务器、电信和太阳能领域。

数据手册PDF