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SE2101
P沟道 耐压:20V 电流:0.9A
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- 描述
- 这是一款P沟道增强型功率MOSFET，采用高单元密度和DMOS沟槽技术生产。该器件特别适合低电压应用，特别是电池供电电路。
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE2101
- 商品编号
- C2920967
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.317克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 900mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 200pF@6V | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF@6V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |