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SE2N60B
N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:600V 电流:2A
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- 描述
- 这是一种高压功率MOSFET，旨在具备更好的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE2N60B
- 商品编号
- C2920978
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.449克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
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