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SE12N50FRA
N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:500V 电流:12A
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- 描述
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻。完全表征雪崩电压和电流。改进直通品质因数。简单的驱动要求。小封装尺寸。表面贴装器件
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE12N50FRA
- 商品编号
- C2920983
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 58pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
- SE85130GA
- SE3N150P
- SE4606S
- DB1EK-5.08-2P-GN-S
- DB1EK-5.08-4P-GN-S
- DB1EK-5.08-3P-GN-S
- DB1EK-5.08-5P-GN-S
- DB1EK-5.08-7P-GN-S
- DB1EK-5.08-9P-GN-S
- DB1EK-5.08-11P-GN-S
- DB1EK-5.08-12P-GN-S
- DB1EVC-5.08-4P-GN
- DB1EVC-5.08-3P-GN
- DB1EVC-5.08-5P-GN
- DB1EVC-5.08-7P-GN
- DB1EVC-5.08-9P-GN
- DB1EVC-5.08-11P-GN
- DB1EVC-5.08-12P-GN
- DB1ERC-5.08-4P-GN
- DB1ERC-5.08-3P-GN
- DB1ERC-5.08-5P-GN