SE12N50FRA
N沟道增强型MOSFET,电流:12A,耐压:500V
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- 品牌名称SINO-IC(光宇睿芯)
商品型号
SE12N50FRA商品编号
C2920983商品封装
TO-220包装方式
管装
商品毛重
2.82克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
漏源电压(Vdss) | 500V | |
连续漏极电流(Id) | 12A | |
导通电阻(RDS(on)) | 580mΩ@10V,7.5A | |
耗散功率(Pd) | 83W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 739pF@25V | |
反向传输电容(Crss) | 40pF | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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