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SE18NS65F
N沟道 耐压:650V 电流:18A
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- 描述
- 高密单元设计，实现超低导通电阻；完全表征雪崩电压和电流；改善直通FOM；驱动要求简单；封装外形小；表面贴装器件
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE18NS65F
- 商品编号
- C2920979
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.98克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |