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SQM110P06-8M9L_GE3
2个N沟道 耐压:60V 电流:110A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET封装，热阻低。100%进行Rg和UIS测试。通过AEC-Q101认证
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQM110P06-8M9L_GE3
- 商品编号
- C2911588
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 230W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 730pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 940pF |
商品概述
CJU60SN08采用屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 沟槽场效应晶体管功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 通过AEC-Q101认证
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 功率开关应用