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SQM110P06-8M9L_GE3实物图
SQM110P06-8M9L_GE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SQM110P06-8M9L_GE3

2个N沟道 耐压:60V 电流:110A

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SQM110P06-8M9L_GE3
商品编号
C2911588
商品封装
TO-263-2
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)110A
导通电阻(RDS(on))8.9mΩ@10V,110A
耗散功率(Pd)230W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)200nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)7.45nF@25V
反向传输电容(Crss)730pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

数据手册PDF

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