SQM110P06-8M9L_GE3
2个N沟道 耐压:60V 电流:110A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQM110P06-8M9L_GE3
- 商品编号
- C2911588
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 2个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 110A | |
导通电阻(RDS(on)) | 8.9mΩ@10V,110A | |
耗散功率(Pd) | 230W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
栅极电荷量(Qg) | 200nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 7.45nF@25V | |
反向传输电容(Crss) | 730pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
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