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HYG045N03LA1C1
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 特性：30V/50A，RDS(ON) = 3.9 mΩ（典型值），@VGS = 10V。 RDS(ON) = 5.2 mΩ（典型值），@VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤环保器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 电池保护
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG045N03LA1C1
- 商品编号
- C2911691
- 商品封装
- PDFN-8(3.1x3.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 23W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.106nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 228pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 40V/240A
- 栅源电压（VGS）为10V时，导通电阻（RDS(ON)）典型值为1.4 mΩ
- 栅源电压（VGS）为4.5V时，导通电阻（RDS(ON)）典型值为1.8 mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件（符合RoHS标准）
应用领域
- 直流-直流电源管理-电池管理-逆变器系统中的电源管理
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