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HYG011N04LS1C2
1个N沟道 耐压:40V 电流:165A
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- 描述
- 40V/165A。在VGS = 10V时，RDS(ON) = 1.1mΩ（典型值）。在VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 1.5mΩ（典型值）
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG011N04LS1C2
- 商品编号
- C2911692
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 165A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 89nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.876nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.278nF |
商品特性
- 40V/165A
- RDS(ON) = 1.1mΩ(典型值)@VGS = 10V
- RDS(ON) = 1.5 mΩ(典型值)@VGS = 4.5V
- 100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 有无卤器件可供选择
应用领域
- 开关应用
- DC/DC电源管理
- 电池保护
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